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电子元器件详细资料 » IC[25851] » NSS40302PDR2G
型号:NSS40302PDR2G类别:晶体管(BJT) - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列
描述TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型NPN,PNP
电流_集电极(Ic)111最大2223A
电压_集电极发射极击穿111最大22240V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222115mV @ 200mA,2A
电流_集电极截止111最大222-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)180 @ 1A,2V
功率_最大653mW
频率_转换100MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
瀚佳科技(深圳)有限公司李0755-23915992/23140719
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